众所周知，HBM的原理像是利用DRAM在叠高高，这种办法成本高昂，并且增加堆栈数量虽可部分解决容量问题，但会引发芯片边缘空间限制、堆栈高度和经济可行性等一系列新问题。由于引脚和走线需求，HBM堆叠数量受芯片边缘长度限制，通常每侧最多3-4个堆叠，且受标线极限（约800mm2）制约。 在接口方面，可见下图，HBM 是集成在 XPU 中的关键组件，使用先进的 2.5D 封装技术和高速行业标准接口。然而 ...

不久之前，科技界传来了一条振奋人心的消息——SK海力士如同一位技术先锋，第一个推出了面向AI的超高性能12层HBM4内存，毫无疑问，这一创新为DRAM市场注入了一剂强心针。3月19日，SK海力士正式宣布，全球首次向主要客户推出了惊艳的12Hi HBM4内存。

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